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25+ Dhs. 14.29 Dhs. 357.25
50+ Dhs. 13.50 Dhs. 675.00
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IS61LV25616AL-10KLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS61LV25616AL-10KLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute vitesse de 4 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications, du médical et de l'électronique grand public. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, cette SRAM à interface parallèle offre des performances fiables pour la mémoire volatile, répondant ainsi aux besoins des équipementiers et des fournisseurs de services de fabrication électronique (EMS).

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide de 10 ns – Idéal pour les applications critiques nécessitant une récupération rapide des données
  • Capacité de 4 Mbit (256 K x 16) - Densité de mémoire optimale pour les systèmes embarqués et les contrôleurs industriels
  • Large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) - Fiabilité éprouvée dans des conditions environnementales difficiles
  • Tension d'alimentation de 3,3 V (3,135 V ~ 3,6 V) - Fonctionnement à faible consommation pour des conceptions écoénergétiques
  • Boîtier CMS 44-SOJ - Conception compacte pour les circuits imprimés haute densité
  • Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales et réglementaires des marchés mondiaux
  • Conditionnement en bande et bobine - Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série

Applications

Cette mémoire SRAM est conçue pour les systèmes critiques, notamment l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, l'infrastructure des télécommunications, les équipements de diagnostic médical et l'électronique grand public à haute fiabilité, où l'intégrité des données et la prise en charge d'un cycle de vie long sont primordiales.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir cette SRAM ?

S'appuyant sur la réputation d'ISSI en matière de qualité et sur son engagement à long terme, la mémoire IS61LV25616AL-10KLI-TR offre une traçabilité complète, la conformité aux normes RoHS/REACH et une disponibilité constante pour une intégration sereine. Elle est idéale pour les ingénieurs recherchant une solution de mémoire fiable et performante, ayant fait ses preuves dans de nombreux secteurs.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3,135 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY