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25+ Dhs. 13.48 Dhs. 337.00
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IS61LV25616AL-10T-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS61LV25616AL-10T-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Grâce à son organisation mémoire de 256 Ko x 16 et à son temps d'accès ultrarapide de 10 ns, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués exigeant un accès rapide aux données et une longue durée de vie.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
  • Organisation de la mémoire flexible : interface parallèle 256 Ko x 16 pour une gestion efficace des données
  • Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 3,135 V à 3,6 V optimisée pour une efficacité énergétique maximale.
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants
  • Boîtier compact : boîtier de montage en surface 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm)
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications idéales

Cette SRAM asynchrone est conçue pour les applications nécessitant une mémoire volatile haute vitesse et une fiabilité éprouvée : contrôleurs embarqués, mise en mémoire tampon des données, mémoire cache, équipements de réseau, automatisation industrielle, dispositifs médicaux et systèmes aérospatiaux.

Spécifications techniques complètes

Distributeur agréé : traçabilité complète, conformité RoHS/REACH et disponibilité tout au long du cycle de vie garanties. Contactez-nous pour connaître nos tarifs dégressifs, nos options d’emballage personnalisées et notre assistance technique.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3,135 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY