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IS61LV25616AL-10TI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS61LV25616AL-10TI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes des systèmes industriels, automobiles, médicaux et de télécommunications. Grâce à son organisation mémoire de 256 Ko x 16 et à son temps d'accès ultrarapide de 10 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et une disponibilité à long terme.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Accès ultra-rapide : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 10 ns pour des opérations de données à haute vitesse
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3,135 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
  • Montage en surface fiable : boîtier TSOP II 44 (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour assemblage automatisé
  • Conformité totale : certifié RoHS/REACH pour les normes environnementales
  • Conditionnement pratique : disponible en bande et bobine (TR) pour la production en série
  • Assistance longue durée : garantie par l’engagement du fabricant en matière de disponibilité étendue

Applications idéales :

Idéal pour l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire non volatile rapide et fiable avec un approvisionnement garanti à long terme.

Spécifications techniques complètes :

Assurance qualité : Tous les composants sont expédiés avec une documentation de traçabilité complète et proviennent directement de distributeurs agréés. Nous garantissons l’authenticité à 100 % des pièces, assorties des garanties des fabricants.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3,135 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY