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15+ Dhs. 15.34 Dhs. 230.10
25+ Dhs. 15.00 Dhs. 375.00
50+ Dhs. 14.17 Dhs. 708.50
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IS61LV2568L-10T-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La mémoire IS61LV2568L-10T-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes nécessitant des temps d'accès rapides et une grande stabilité. Avec un temps d'accès de 10 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 8, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les équipements de télécommunications, les commandes industrielles et les applications automobiles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
  • Densité de mémoire optimale : une capacité de 2 Mbits dans une configuration 256 Ko x 8 offre un stockage de données flexible
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3,3 V (3,135 V à 3,6 V) pour des conceptions écoénergétiques
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C
  • Boîtier compact : Boîtier de montage en surface 44-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm)
  • Prêt pour la production : Conditionnement en bande et bobine pour les processus d’assemblage automatisés
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Cette mémoire SRAM volatile est idéale pour la mémoire cache, le stockage tampon, les systèmes d'acquisition de données à haute vitesse, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux et les applications aérospatiales/de défense où un support à long terme et la traçabilité des composants sont essentiels.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir ce composant ?

En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, un support technique tout au long du cycle de vie et des ressources d'intégration technique. Cette SRAM bénéficie de la réputation d'ISSI en matière de qualité et de fiabilité dans l'industrie des semi-conducteurs, ce qui en fait un excellent choix pour les nouvelles conceptions et la maintenance des systèmes existants.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3,135 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY