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25+ Dhs. 13.49 Dhs. 337.25
50+ Dhs. 12.74 Dhs. 637.00
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Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance IS61LV5128AL-10BI-TR

Le circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone IS61LV5128AL-10BI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone de 4 Mbit à haute fiabilité conçu pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 512 Ko x 8 offre un équilibre optimal pour les systèmes embarqués.
  • Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3,135 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 36 miniBGA (8x10) permet de gagner de la place sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications idéales

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • calculateurs automobiles et systèmes critiques pour la sécurité
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • équipement de diagnostic médical
  • Infrastructure de télécommunications
  • Informatique embarquée à haute fiabilité

Spécifications techniques complètes

Qualité et conformité

En tant que distributeur agréé, nous fournissons une documentation de traçabilité complète et garantissons l'authenticité à 100 % des composants. Ce produit est conforme aux normes RoHS et REACH, conformément aux exigences réglementaires internationales.

Informations de commande

Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés. Contactez-nous pour connaître nos tarifs dégressifs, nos délais de livraison et nos accords d'approvisionnement à long terme afin de répondre aux exigences liées au cycle de vie de vos produits.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3,135 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 36-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 36 miniBGA (8x10)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY