ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10K-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.68 | Dhs. 17.68 |
| 15+ | Dhs. 17.13 | Dhs. 256.95 |
| 25+ | Dhs. 16.76 | Dhs. 419.00 |
| 50+ | Dhs. 15.83 | Dhs. 791.50 |
| 100+ | Dhs. 13.97 | Dhs. 1,397.00 |
| N+ | Dhs. 2.79 | Price Inquiry |
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IS61LV5128AL-10K-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbit
L' IS61LV5128AL-10K-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit organisée en 512K x 8, conçue pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes nécessitant un accès mémoire parallèle rapide et fiable.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
- Fonctionnement à basse tension : une alimentation de 3,3 V (3,135 V à 3,6 V) réduit la consommation d’énergie.
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire sans surcharge d’horloge
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour des performances fiables
- Boîtier CMS : 36-BSOJ (largeur de 10,16 mm) pour assemblage automatisé
- Conditionnement en bande et bobine : adapté aux environnements de production à grand volume
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les mises à niveau des systèmes existants nécessitant une mémoire volatile haute vitesse à la fiabilité éprouvée.
Avantages des distributeurs agréés
Nous fournissons des composants ISSI 100 % authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et un support tout au long du cycle de vie afin de protéger votre investissement dans la conception et d'assurer la continuité de l'approvisionnement.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3,135 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 36-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 36-SOJ |
| RoHS |  |
IS61LV5128AL-10K-TR.pdf