ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10TI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.70 | Dhs. 15.70 |
| 15+ | Dhs. 15.20 | Dhs. 228.00 |
| 25+ | Dhs. 14.87 | Dhs. 371.75 |
| 50+ | Dhs. 14.04 | Dhs. 702.00 |
| 100+ | Dhs. 12.39 | Dhs. 1,239.00 |
| N+ | Dhs. 2.48 | Price Inquiry |
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IS61LV5128AL-10TI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone IS61LV5128AL-10TI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 4 Mbits conçue pour les applications exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 10 ns et une organisation mémoire de 512 Ko x 8, cette SRAM de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles sur une large plage de températures (de -40 °C à 85 °C).
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible : configuration 512 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Fonctionnement basse tension : alimentation 3,3 V (3,135 V ~ 3,6 V) pour des conceptions à faible consommation.
- Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Applications idéales
Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des télécommunications, des dispositifs médicaux, des systèmes de contrôle industriels et toute application nécessitant une mise en mémoire tampon non volatile à haute vitesse, avec une prise en charge à long terme et une traçabilité complète.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications sont garanties par le fabricant. Fiches techniques complètes et notes d'application disponibles sur demande. Un engagement sur le long terme assure la disponibilité des composants critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3,135 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
IS61LV5128AL-10TI-TR.pdf