ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.01 | Dhs. 11.01 |
| 15+ | Dhs. 10.65 | Dhs. 159.75 |
| 25+ | Dhs. 10.42 | Dhs. 260.50 |
| 50+ | Dhs. 9.84 | Dhs. 492.00 |
| 100+ | Dhs. 8.69 | Dhs. 869.00 |
| N+ | Dhs. 1.74 | Price Inquiry |
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Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute vitesse IS61LV5128AL-10TLI-TR
La mémoire IS61LV5128AL-10TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une SRAM asynchrone 4 Mbit hautes performances conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre une fiabilité exceptionnelle avec un temps d'accès de 10 ns, ce qui le rend idéal pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation flexible : architecture mémoire 512 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
- Conception basse consommation : tension d'alimentation de 3,135 V à 3,6 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Boîtier CMS : 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) pour les circuits imprimés compacts
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SRAM haute fiabilité est conçue pour les applications critiques, notamment :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Modules ECU et ADAS automobiles
- Automatisation industrielle et automates programmables
- Équipements d'imagerie médicale et de diagnostic
- Stations de base et routeurs de télécommunications
- Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse
- Informatique embarquée et mémoire cache
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3,135 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
IS61LV5128AL-10TLI-TR.pdf