ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10T-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.68 | Dhs. 7.68 |
| 15+ | Dhs. 7.44 | Dhs. 111.60 |
| 25+ | Dhs. 7.28 | Dhs. 182.00 |
| 50+ | Dhs. 6.88 | Dhs. 344.00 |
| 100+ | Dhs. 6.07 | Dhs. 607.00 |
| N+ | Dhs. 1.21 | Price Inquiry |
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IS61LV6416-10T-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La mémoire SRAM IS61LV6416-10T-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique (SRAM) de 1 mégabit haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Grâce à son organisation 64K x 16 et à son temps d'accès ultrarapide de 10 ns, ce circuit intégré de mémoire parallèle offre des performances fiables pour la mise en mémoire tampon de données en temps réel, la mémoire cache et les systèmes de traitement à haute vitesse.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation flexible : configuration 64K x 16 optimisée pour les interfaces de microcontrôleurs et de processeurs 16 bits
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 3,3 V (3,135 V à 3,6 V) réduit la consommation d’énergie.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les applications commerciales
- Boîtier compact : Boîtier de montage en surface 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm)
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
Applications idéales
Cette mémoire SRAM asynchrone est idéale pour les équipements de réseau, les systèmes de télécommunications, les contrôleurs industriels, les systèmes d'acquisition de données, les plateformes informatiques embarquées et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec interface parallèle.
Spécifications techniques
Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3,135 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
IS61LV6416-10T-TR.pdf