ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10TI-TR

IS61LV6416-10TI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire SRAM IS61LV6416-10TI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique (SRAM) de 1 mégabit, haute vitesse et basse consommation, organisée en 64 000 mots sur 16 bits. Cette SRAM asynchrone offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements réseau et les applications de mise en mémoire tampon de données à haute vitesse.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques en termes de temps.
• Organisation flexible : l’architecture mémoire 64 Ko x 16 offre une largeur de mot optimale pour les microcontrôleurs et processeurs 16 bits.
• Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 3,3 V (3,135 V à 3,6 V) réduit la consommation d’énergie dans les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
• Large plage de températures : -40 °C à 85 °C. La norme de température industrielle garantit un fonctionnement fiable même dans des environnements difficiles.
• Conditionnement prêt pour la production : le conditionnement en bande et bobine simplifie l'assemblage automatisé et la fabrication en grande série
• Montage en surface compact : le boîtier TSOP II à 44 broches (largeur de 10,16 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
• Conforme à la directive RoHS : construction écologique sans plomb répondant aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette SRAM polyvalente est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications, les routeurs et commutateurs de réseau, les systèmes d'acquisition de données, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les implémentations de mémoire cache à haute vitesse.

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Spécifications techniques complètes

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