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IS61WV12816BLL-12TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La mémoire IS61WV12816BLL-12TLI-TR d' ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant mémoire offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 12 ns et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible : architecture mémoire 128 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et tolérance de température de -40 °C à 85 °C
  • Interface parallèle fiable : technologie SRAM asynchrone éprouvée pour systèmes embarqués
  • Boîtier compact : conception à montage en surface 44-TSOP II pour des circuits imprimés compacts
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications idéales

Ce composant SRAM excelle dans les applications exigeant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable, notamment les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les systèmes aérospatiaux. Son interface asynchrone simplifie l'intégration avec les microcontrôleurs, les FPGA et autres processeurs embarqués.

Spécifications techniques

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Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs haute fiabilité pour les applications critiques. Notre vaste catalogue de solutions de mémoire comprend des dispositifs SRAM, DRAM, Flash et EEPROM provenant des plus grands fabricants mondiaux.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY