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IS61WV12816DBLL-10BLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La mémoire IS61WV12816DBLL-10BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 ns et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les systèmes embarqués critiques en termes de temps.
  • Organisation flexible : architecture mémoire 128 Ko x 16 optimisée pour les applications d’interface parallèle
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et tolérance de température de -40 °C à 85 °C
  • Fiabilité de niveau industriel : Boîtier CMS 48-TFBGA (6x8) conçu pour les environnements difficiles
  • Conforme à la norme RoHS : Solution semi-conducteur respectueuse de l’environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Cette mémoire SRAM haute performance est idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et fiable, notamment les mémoires tampons de microcontrôleurs, la mémoire cache, les systèmes d'acquisition de données, les unités de contrôle industrielles, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les équipements de télécommunications. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste la rendent parfaitement adaptée aux applications critiques en environnements difficiles.

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI garantit une fiabilité éprouvée des semi-conducteurs grâce à des décennies d'expertise dans les technologies de mémoire. L'IS61WV12816DBLL-10BLI représente le summum de la conception SRAM asynchrone, alliant vitesse, durabilité et efficacité énergétique dans un boîtier compact à montage en surface.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY