ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816DBLL-10BLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.85 | Dhs. 9.85 |
| 15+ | Dhs. 9.55 | Dhs. 143.25 |
| 25+ | Dhs. 9.34 | Dhs. 233.50 |
| 50+ | Dhs. 8.82 | Dhs. 441.00 |
| 100+ | Dhs. 7.79 | Dhs. 779.00 |
| N+ | Dhs. 1.56 | Price Inquiry |
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IS61WV12816DBLL-10BLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit
La mémoire IS61WV12816DBLL-10BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 ns et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les systèmes embarqués critiques en termes de temps.
- Organisation flexible : architecture mémoire 128 Ko x 16 optimisée pour les applications d’interface parallèle
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et tolérance de température de -40 °C à 85 °C
- Fiabilité de niveau industriel : Boîtier CMS 48-TFBGA (6x8) conçu pour les environnements difficiles
- Conforme à la norme RoHS : Solution semi-conducteur respectueuse de l’environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Cette mémoire SRAM haute performance est idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et fiable, notamment les mémoires tampons de microcontrôleurs, la mémoire cache, les systèmes d'acquisition de données, les unités de contrôle industrielles, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les équipements de télécommunications. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste la rendent parfaitement adaptée aux applications critiques en environnements difficiles.
Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?
ISSI garantit une fiabilité éprouvée des semi-conducteurs grâce à des décennies d'expertise dans les technologies de mémoire. L'IS61WV12816DBLL-10BLI représente le summum de la conception SRAM asynchrone, alliant vitesse, durabilité et efficacité énergétique dans un boîtier compact à montage en surface.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |

IS61WV12816DBLL-10BLI.pdf