ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816DBLL-10TLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.40 | Dhs. 9.40 |
| 15+ | Dhs. 9.10 | Dhs. 136.50 |
| 25+ | Dhs. 8.90 | Dhs. 222.50 |
| 50+ | Dhs. 8.41 | Dhs. 420.50 |
| 100+ | Dhs. 7.42 | Dhs. 742.00 |
| N+ | Dhs. 1.48 | Price Inquiry |
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IS61WV12816DBLL-10TLI - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 2 Mbit
L' IS61WV12816DBLL-10TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 2 mégabits conçue pour les systèmes embarqués critiques nécessitant un accès aux données ultra-rapide et un fonctionnement fiable dans des plages de températures extrêmes.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns permet le traitement des données en temps réel pour les applications sensibles au facteur temps.
- Organisation optimale de la mémoire : l’architecture 128 Ko x 16 bits assure une gestion efficace des données parallèles.
- Fiabilité de qualité industrielle : plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements aérospatiaux, automobiles et industriels.
- Fonctionnement basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions à faible consommation d’énergie
- Boîtier compact : format de montage en surface 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) pour des agencements de circuits imprimés compacts.
- Interface asynchrone : l’interface mémoire parallèle simplifie l’intégration avec les microprocesseurs et les contrôleurs.
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée aux équipements de réseau, aux infrastructures de télécommunications, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux calculateurs automobiles, aux dispositifs médicaux et à l'avionique aérospatiale où l'intégrité et la vitesse des données sont primordiales.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
IS61WV12816DBLL-10TLI.pdf