ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816DBLL-10TLI-TR

IS61WV12816DBLL-10TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La puce IS61WV12816DBLL-10TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone haute fiabilité de 2 Mbit conçue pour les systèmes embarqués critiques nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation mémoire de 128 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et aérospatiales.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Organisation flexible : configuration 128 Ko x 16 avec interface parallèle pour une intégration système polyvalente
• Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements industriels difficiles
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
• Conception pour montage en surface : boîtier TSOP II 44 (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Spécifications techniques

Applications

Cette carte SRAM haute performance est idéale pour :

• Systèmes de contrôle industriel et automatisation
• Systèmes électroniques automobiles et ADAS
• Infrastructure de télécommunications
• applications aérospatiales et de défense
• Dispositifs médicaux nécessitant un stockage de données fiable
• Systèmes embarqués avec exigences de traitement en temps réel

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