ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816EDBLL-10TLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.32 | Dhs. 8.32 |
| 15+ | Dhs. 8.07 | Dhs. 121.05 |
| 25+ | Dhs. 7.89 | Dhs. 197.25 |
| 50+ | Dhs. 7.45 | Dhs. 372.50 |
| 100+ | Dhs. 6.58 | Dhs. 658.00 |
| N+ | Dhs. 1.32 | Price Inquiry |
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IS61WV12816EDBLL-10TLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone IS61WV12816EDBLL-10TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 2 mégabits conçue pour les applications électroniques embarquées et industrielles à haute fiabilité. Cette puce mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles grâce à son temps d'accès ultrarapide de 10 ns et sa large plage de tension de fonctionnement (2,4 V à 3,6 V), ce qui la rend idéale pour les systèmes alimentés par batterie et basse consommation.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 10 ns et un temps de cycle d’écriture de 10 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Organisation mémoire flexible : configuration 128 Ko x 16 (capacité totale de 2 Mbits) optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, convient aux environnements automobiles, aérospatiaux et industriels difficiles.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V réduit la consommation d’énergie et la génération de chaleur.
- Conception pour montage en surface : le boîtier compact 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur de 10,16 mm) permet un gain de place sur la carte et facilite l’assemblage automatisé.
- Interface parallèle : L’architecture de bus parallèle standard assure la compatibilité avec les systèmes et microcontrôleurs existants.
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Le modèle IS61WV12816EDBLL-10TLI est conçu pour les applications exigeantes nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et unités de contrôle moteur (ECU)
- Systèmes embarqués aérospatiaux et de défense
- Instrumentation médicale et équipement de diagnostic
- Infrastructure de télécommunications
- Systèmes d'acquisition de données haute performance
- Mémoire cache pour processeurs et FPGA
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Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 2,4 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |

IS61WV12816EDBLL-10TLI.pdf