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IS61WV12816EDBLL-10TLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS61WV12816EDBLL-10TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 2 mégabits conçue pour les applications électroniques embarquées et industrielles à haute fiabilité. Cette puce mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles grâce à son temps d'accès ultrarapide de 10 ns et sa large plage de tension de fonctionnement (2,4 V à 3,6 V), ce qui la rend idéale pour les systèmes alimentés par batterie et basse consommation.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 10 ns et un temps de cycle d’écriture de 10 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation mémoire flexible : configuration 128 Ko x 16 (capacité totale de 2 Mbits) optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, convient aux environnements automobiles, aérospatiaux et industriels difficiles.
  • Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V réduit la consommation d’énergie et la génération de chaleur.
  • Conception pour montage en surface : le boîtier compact 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur de 10,16 mm) permet un gain de place sur la carte et facilite l’assemblage automatisé.
  • Interface parallèle : L’architecture de bus parallèle standard assure la compatibilité avec les systèmes et microcontrôleurs existants.

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Le modèle IS61WV12816EDBLL-10TLI est conçu pour les applications exigeantes nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables :

  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Électronique automobile et unités de contrôle moteur (ECU)
  • Systèmes embarqués aérospatiaux et de défense
  • Instrumentation médicale et équipement de diagnostic
  • Infrastructure de télécommunications
  • Systèmes d'acquisition de données haute performance
  • Mémoire cache pour processeurs et FPGA

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Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY