ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR

IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La mémoire SRAM IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique (SRAM) de 2 mégabits haute vitesse et basse consommation, organisée en 128 000 mots sur 16 bits. Cette SRAM asynchrone offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant un accès rapide aux données et un stockage de données volatiles fiable.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les applications embarquées critiques en termes de temps.
• Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128 Ko x 16 offre un équilibre optimal pour les systèmes de contrôle industriels et la mise en mémoire tampon des données.
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V offre une compatibilité avec diverses architectures système.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Boîtier CMS : le boîtier 44-TSOP II permet une conception efficace du circuit imprimé et un assemblage automatisé
• Interface parallèle : intégration simple avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications idéales

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, à l'automatisation industrielle, aux équipements de réseau, aux infrastructures de télécommunications, aux systèmes d'acquisition de données et à toute application nécessitant un stockage de données temporaire rapide avec accès parallèle.

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Spécifications techniques complètes

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