ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816EFBLL-10TLI

IS61WV12816EFBLL-10TLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La mémoire SRAM IS61WV12816EFBLL-10TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique (SRAM) de 2 mégabits, haute vitesse et basse consommation, organisée en 128 000 mots sur 16 bits. Cette SRAM asynchrone offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements réseau et les applications de mise en mémoire tampon de données à haute vitesse.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
• Organisation flexible de la mémoire : configuration 128 Ko x 16 optimisée pour les interfaces de microcontrôleurs et de processeurs 16 bits
• Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 2,4 V à 3,6 V pour une compatibilité avec diverses conceptions de systèmes.
• Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
• Interface parallèle : interface parallèle asynchrone standard pour une intégration simple
• Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment les contrôleurs d'automatisation industrielle, les routeurs et commutateurs de réseau, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les instruments de test et de mesure et les systèmes d'acquisition de données à haute vitesse.

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Spécifications techniques complètes

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