ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.54 | Dhs. 8.54 |
| 15+ | Dhs. 8.27 | Dhs. 124.05 |
| 25+ | Dhs. 8.09 | Dhs. 202.25 |
| 50+ | Dhs. 7.64 | Dhs. 382.00 |
| 100+ | Dhs. 6.74 | Dhs. 674.00 |
| N+ | Dhs. 1.35 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 2,4 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance 1 Mbit IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR
La puce IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications embarquées exigeantes et critiques. Ce circuit intégré de mémoire volatile dispose d'une architecture 128 Ko x 8 et d'un temps d'accès ultrarapide de 10 ns, ce qui la rend idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des équipements de télécommunications et des dispositifs médicaux nécessitant des performances mémoire déterministes.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
- Organisation flexible : l’interface parallèle 128K x 8 simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et processeurs 8 bits.
- Large plage de tension : l’alimentation de 2,4 V à 3,6 V prend en charge les applications fonctionnant sur 3,3 V et sur batterie.
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à +85 °C en environnements difficiles
- Boîtier CMS : l’encombrement de 48-TFBGA (6 x 8 mm) optimise l’espace sur la carte.
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
- Fonctionnement asynchrone : aucune horloge n’est requise, ce qui simplifie la conception du système et réduit la consommation d’énergie.
Applications typiques
Cette mémoire SRAM est conçue pour les applications exigeant un stockage de données rapide et fiable, notamment les systèmes embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les calculateurs automobiles, les mémoires tampons d'équipements de réseau, l'instrumentation médicale, l'avionique aérospatiale et l'infrastructure de télécommunications.
Spécifications techniques
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Ressources connexes
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