ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR

IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

L' IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone de 1 Mbit à haute fiabilité conçue pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT nécessitant un accès mémoire parallèle rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation de la mémoire flexible : configuration 128 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
• Large plage de tension : fonctionnement de 2,4 V à 3,6 V, compatible avec les systèmes 3,3 V et de tension inférieure.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Interface parallèle : accès direct à la mémoire sans protocoles série complexes
• Boîtier CMS : 32-TFSOP (32-sTSOP I) pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
• Prêt pour la production : Emballage en bande et bobine pour la fabrication en grande série

Applications idéales

Ce composant SRAM excelle dans les applications nécessitant une mise en mémoire tampon à haute vitesse, une mémoire cache, l'enregistrement de données, le traitement en temps réel et le stockage temporaire dans les contrôleurs embarqués, les automates programmables industriels, les calculateurs automobiles, les équipements de réseau et les dispositifs médicaux.

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Spécifications techniques

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