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IS61WV25616BLL-10KLI - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbit

L'IS61WV25616BLL-10KLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications critiques nécessitant des temps d'accès rapides et un fonctionnement fiable sur des plages de température étendues.

Caractéristiques principales

  • Accès ultra-rapide : temps d’accès de 10 ns pour une récupération de données à haute vitesse
  • Organisation de mémoire flexible : configuration d’interface parallèle 256 Ko x 16
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Large plage de tension : alimentation de 2,4 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
  • Boîtier CMS : 44-BSOJ (largeur de 10,16 mm) pour circuits imprimés compacts
  • Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée à l'avionique aérospatiale, aux systèmes de contrôle automobile, à l'automatisation industrielle, aux dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications et à d'autres applications où l'intégrité des données et la disponibilité à long terme sont essentielles.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY