ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10KLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.62 | Dhs. 12.62 |
| 15+ | Dhs. 12.24 | Dhs. 183.60 |
| 25+ | Dhs. 11.97 | Dhs. 299.25 |
| 50+ | Dhs. 11.31 | Dhs. 565.50 |
| 100+ | Dhs. 9.98 | Dhs. 998.00 |
| N+ | Dhs. 2.00 | Price Inquiry |
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IS61WV25616BLL-10KLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone IS61WV25616BLL-10KLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbits conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 ns et fonctionne sur une large plage de tensions d'alimentation (de 2,4 V à 3,6 V), ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Organisation flexible de la mémoire : configuration 256 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V permet des conceptions écoénergétiques.
- Boîtier CMS : 44-BSOJ (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un transfert de données à haut débit sans surcharge de protocole.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Le modèle IS61WV25616BLL-10KLI-TR est conçu pour les applications exigeantes, notamment :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Modules ECU et ADAS automobiles
- Automatisation industrielle et automates programmables
- Systèmes d'équipements de diagnostic médical et de surveillance des patients
- Infrastructure de télécommunications et équipements de réseau
- Mémoire cache et mise en mémoire tampon de données à haute vitesse
- Systèmes embarqués nécessitant des solutions de sauvegarde non volatiles
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 2,4 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
| RoHS |  |
IS61WV25616BLL-10KLI-TR.pdf