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25+ Dhs. 8.73 Dhs. 218.25
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IS61WV25616BLL-10TL-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS61WV25616BLL-10TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haut de gamme de 4 Mbits conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, cette SRAM de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles pour les applications aérospatiales, automobiles, médicales, de télécommunications et de contrôle industriel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 256 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
  • Large plage de tension : fonctionnement de 2,4 V à 3,6 V, compatible avec diverses exigences d’alimentation.
  • Plage de températures industrielles : 0 °C à 70 °C (TA) pour des performances fiables dans des environnements exigeants.
  • Interface parallèle : Interface mémoire parallèle standard pour une intégration transparente avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Boîtier CMS : 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est conçue pour les systèmes embarqués dans l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les contrôleurs d'automatisation industrielle, l'infrastructure de télécommunications et la mise en mémoire tampon de données critiques où une mémoire volatile avec des temps d'accès rapides est essentielle.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir HQICKEY ?

Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs de qualité industrielle pour les applications critiques. Notre vaste gamme de mémoires comprend des solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM haut de gamme provenant de fabricants de confiance. Nous assurons une distribution mondiale, un support technique et une disponibilité à long terme pour garantir la réussite de vos projets.

Ressources et soutien

Pour accéder aux dernières analyses techniques, notes d'application et actualités du secteur, consultez notre blogue Actualités et Techniques . Notre équipe est à votre disposition pour vous accompagner dans le choix des produits, les spécifications techniques et l'approvisionnement en gros pour vos projets de systèmes embarqués.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY