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15+ Dhs. 12.93 Dhs. 193.95
25+ Dhs. 12.65 Dhs. 316.25
50+ Dhs. 11.94 Dhs. 597.00
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IS61WV25616BLS-25TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La puce IS61WV25616BLS-25TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré mémoire offre une fiabilité exceptionnelle grâce à son organisation de 256 000 x 16 et son temps d'accès ultrarapide de 25 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances ultra-rapides : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 25 ns pour un traitement des données à haute vitesse
  • Alimentation flexible : large plage de tension (2,4 V à 3,6 V) pour une intégration système polyvalente
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Conception pour montage en surface : boîtier TSOP II 44 broches pour une implantation efficace sur circuit imprimé et un assemblage automatisé
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
  • Disponibilité tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement d’ISSI en matière de support produit étendu

Applications idéales

Cette mémoire SRAM asynchrone est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable, notamment les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et l'infrastructure de télécommunications.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?

Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs de haute qualité, avec une traçabilité complète et un support technique tout au long de leur cycle de vie. Notre vaste gamme de mémoires comprend des solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM provenant des plus grands fabricants.

Ressources et assistance techniques

Besoin d'aide pour la conception ou de spécifications techniques ? Consultez notre blog d'actualités pour découvrir les dernières tendances du secteur, des notes d'application et des mises à jour produits. Notre équipe d'ingénieurs est à votre disposition pour vous accompagner dans l'intégration de vos produits.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 25 ns
Temps d'accès 25 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY