ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDALL-20BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.66 | Dhs. 15.66 |
| 15+ | Dhs. 15.16 | Dhs. 227.40 |
| 25+ | Dhs. 14.83 | Dhs. 370.75 |
| 50+ | Dhs. 14.01 | Dhs. 700.50 |
| 100+ | Dhs. 12.36 | Dhs. 1,236.00 |
| N+ | Dhs. 2.47 | Price Inquiry |
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IS61WV25616EDALL-20BLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone IS61WV25616EDALL-20BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire de 4 Mbits à haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un accès mémoire rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 20 ns et une organisation en 256 Ko x 16, cette SRAM parallèle offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, de télécommunications, automobiles et aérospatiaux.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns et un temps de cycle d’écriture de 20 ns garantissent une latence minimale pour les opérations critiques.
- Alimentation flexible : une large plage de tension (1,65 V ~ 2,2 V) permet la compatibilité avec les conceptions modernes à faible consommation.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 48 TFBGA (6 x 8 mm) optimise l’espace sur la carte.
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
- Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série
Applications idéales
Cette mémoire SRAM est idéale pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire volatile haute vitesse avec une longue durée de vie.
Spécifications techniques complètes
S'appuyant sur la réputation de qualité et de fiabilité d'ISSI, ce composant inclut une traçabilité complète et est disponible pour les programmes à long cycle de vie.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 20 ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
IS61WV25616EDALL-20BLI-TR.pdf