ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.66 | Dhs. 15.66 |
| 15+ | Dhs. 15.16 | Dhs. 227.40 |
| 25+ | Dhs. 14.83 | Dhs. 370.75 |
| 50+ | Dhs. 14.01 | Dhs. 700.50 |
| 100+ | Dhs. 12.36 | Dhs. 1,236.00 |
| N+ | Dhs. 2.47 | Price Inquiry |
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IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes nécessitant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 8 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, de télécommunications, médicales et électroniques grand public.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 8 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
- Organisation flexible de la mémoire : configuration 256 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
- Montage en surface compact : le boîtier 48-TFBGA (6x8) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
- Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement d’ISSI en matière de disponibilité et de traçabilité des produits.
Applications typiques
Cette mémoire SRAM est idéale pour les systèmes embarqués, les équipements de réseau, les systèmes d'acquisition de données, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mémoire volatile haute vitesse avec interface parallèle.
Spécifications techniques complètes
Qualité et conformité
Ce composant est conforme à la directive RoHS et fabriqué selon les normes de qualité les plus strictes. Une documentation complète de traçabilité et une fiche technique sont disponibles. Il convient aux conceptions exigeant une disponibilité à long terme et une gestion du cycle de vie.
Besoin d'assistance technique ou de tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe pour obtenir des fiches techniques, des notes d'application et des solutions personnalisées adaptées aux exigences de votre projet.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 8ns |
| Temps d'accès | 8 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR.pdf