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25+ Dhs. 13.08 Dhs. 327.00
50+ Dhs. 12.35 Dhs. 617.50
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IS61WV25616EDBLL-8TLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS61WV25616EDBLL-8TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Grâce à son organisation mémoire de 256 Ko x 16 et à son temps d'accès ultrarapide de 8 ns, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués exigeant un accès rapide aux données et une disponibilité à long terme.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 8 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
  • Organisation mémoire flexible : interface parallèle 256 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
  • Large plage de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C, température de fonctionnement industrielle pour environnements difficiles.
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
  • Boîtier CMS : 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
  • Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement d’ISSI en faveur d’une disponibilité produit étendue

Applications idéales

Cette mémoire SRAM asynchrone est parfaitement adaptée aux équipements de réseau, aux contrôleurs industriels, aux calculateurs automobiles, aux dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications et à tout système embarqué nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une traçabilité complète et une documentation de conformité.

Spécifications techniques complètes

Support intégré à la conception

Fiches techniques complètes, schémas de référence et documentation technique disponibles. Notre équipe d'ingénieurs vous accompagne dans l'intégration de ce composant à vos produits de nouvelle génération. Contactez-nous pour connaître nos tarifs dégressifs, nos options d'emballage personnalisées et nos solutions d'expédition internationale.

Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de composants de mémoire pour des solutions SRAM, DRAM, Flash et mémoires spécialisées. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs et de dispositifs logiques programmables. Restez informé des dernières tendances, nouveautés produits et articles techniques sur notre blog Actualités et Technique .

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 8ns
Temps d'accès 8 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY