ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR

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IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

Le IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire vive statique asynchrone (SRAM) haute performance de 4 mégabits conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec des capacités d'interface parallèle.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 256 Ko x 16 offre une gestion flexible des données pour les microcontrôleurs et processeurs 16 bits.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système et les conceptions à faible consommation.
  • Plage de températures industrielles : la température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 48 TFBGA (6 x 8 mm) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
  • Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un transfert de données à haut débit sans surcharge liée à la conversion série
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications idéales

Cette mémoire SRAM asynchrone est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, aux équipements de réseau, aux infrastructures de télécommunications, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et aux systèmes d'acquisition de données où un stockage de données temporaire rapide et fiable est essentiel.

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Spécifications techniques complètes

Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY