ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EFBLL-10TLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.27 | Dhs. 7.27 |
| 15+ | Dhs. 7.03 | Dhs. 105.45 |
| 25+ | Dhs. 6.88 | Dhs. 172.00 |
| 50+ | Dhs. 6.49 | Dhs. 324.50 |
| 100+ | Dhs. 5.73 | Dhs. 573.00 |
| N+ | Dhs. 1.15 | Price Inquiry |
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IS61WV25616EFBLL-10TLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
Le circuit intégré IS61WV25616EFBLL-10TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à son organisation de 256 Ko x 16 et à son temps d'accès ultrarapide de 10 ns, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Alimentation flexible : sa large plage de tension (2,4 V à 3,6 V) prend en charge diverses architectures système.
- Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Montage en surface compact : le boîtier 44-TSOP II optimise l'espace sur la carte dans les conceptions denses.
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Cette mémoire SRAM asynchrone est idéale pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et tout système embarqué nécessitant un stockage de données temporaire à haute vitesse avec une disponibilité à long terme garantie.
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Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | En vrac | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 2,4 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |

IS61WV25616EFBLL-10TLI.pdf