ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EFBLL-10TLI-TR

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ISSI IS61WV25616EFBLL-10TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM IS61WV25616EFBLL-10TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique asynchrone (SRAM) de 4 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications industrielles, automobiles et informatiques embarquées exigeantes. Dotée d'une organisation mémoire de 256 Ko x 16 et d'un temps d'accès ultrarapide de 10 ns, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour le traitement et la mise en mémoire tampon des données en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
  • Alimentation flexible : sa large plage de tension (2,4 V à 3,6 V) prend en charge diverses architectures système.
  • Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé
  • Composants authentiques : semi-conducteurs ISSI 100 % authentiques, avec traçabilité complète et engagement sur tout le cycle de vie.

Spécifications techniques

Applications cibles

Ce groupe motopropulseur SRAM haute performance est idéal pour :

  • Automatisation industrielle : automates programmables, contrôleurs de mouvement et systèmes d’automatisation d’usine nécessitant une mise en mémoire tampon rapide des données
  • Électronique automobile : systèmes avancés d’aide à la conduite (ADAS), systèmes d’infodivertissement et unités de contrôle du moteur
  • Informatique embarquée : ordinateurs monocartes, processeurs embarqués et systèmes d’exploitation temps réel
  • Dispositifs IoT et périphériques : capteurs intelligents, passerelles et plateformes de calcul en périphérie avec exigences de faible latence
  • Télécommunications : routeurs de réseau, commutateurs et équipements d'infrastructure de communication
  • Aérospatiale et défense : Systèmes critiques exigeant une fiabilité élevée et un fonctionnement à température étendue

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY