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15+ Dhs. 10.82 Dhs. 162.30
25+ Dhs. 10.58 Dhs. 264.50
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IS61WV25616FALL-10BLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

Le circuit intégré IS61WV25616FALL-10BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haut de gamme, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile haute fiabilité offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultra-rapide de 10 ns et un fonctionnement robuste sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 256 Ko x 16 optimise l’efficacité du traitement des données
  • Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V réduit la consommation d’énergie.
  • Plage de température étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) garantissant une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les architectures système existantes
  • Boîtier CMS (composant monté en surface) : le boîtier 48-TFBGA (6x8) permet de concevoir des circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré SRAM haute fiabilité est idéal pour les applications exigeantes telles que les systèmes embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les équipements de diagnostic médical, les infrastructures de télécommunications et l'avionique aérospatiale, où l'intégrité des données et les performances sont primordiales.

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI est synonyme d'excellence reconnue dans le domaine des semi-conducteurs, forte de plusieurs décennies d'innovation dans les technologies de mémoire. Le circuit intégré IS61WV25616FALL-10BLI illustre parfaitement son engagement envers la qualité, la fiabilité et la performance des solutions de mémoire volatile destinées aux applications professionnelles et industrielles.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement En vrac |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2,2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY