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Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La puce IS61WV25616FALL-10BLI-TR est une mémoire vive statique (SRAM) de 4 Mbits haute fiabilité, conçue par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Cette SRAM parallèle asynchrone offre des performances exceptionnelles grâce à un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et un fonctionnement sous très basse tension (1,65 V à 2,2 V), ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués alimentés par batterie et à faible consommation d'énergie.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 256 Ko x 16 offre une architecture de stockage de données flexible
  • Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V réduit la consommation d’énergie et la génération de chaleur.
  • Plage de températures étendue : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans les environnements industriels les plus difficiles.
  • Montage en surface compact : le boîtier 48-TFBGA (6x8) optimise l'utilisation de l'espace sur le circuit imprimé
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée aux applications exigeantes telles que les systèmes avioniques aérospatiaux, les unités de commande de moteurs automobiles (ECU), les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical, les routeurs et commutateurs de télécommunications, les systèmes d'acquisition de données et les plateformes informatiques embarquées où l'intégrité des données et les performances sont primordiales.

Qualité et conformité

Conforme à la directive RoHS et fabriqué selon les normes de qualité les plus strictes, ce composant SRAM répond aux exigences de fiabilité les plus élevées pour une utilisation professionnelle et industrielle. Son boîtier CMS 48-TFBGA garantit une grande stabilité mécanique et d'excellentes performances thermiques.

Produits et ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2,2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY