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IS61WV25616FALL-10TLI-TR : Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbits

La mémoire SRAM IS61WV25616FALL-10TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Cette SRAM de 4 Mbits se caractérise par un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 256 Ko x 16 avec interface parallèle pour une intégration système polyvalente
  • Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Boîtier CMS : boîtier TSOP II 44 (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour assemblage automatisé
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Cette mémoire SRAM asynchrone est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués haute fiabilité, notamment l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les automates industriels, les équipements de diagnostic médical et les infrastructures de télécommunications. Son temps de cycle d'écriture de 10 ns garantit un traitement des données en temps réel sans interruption.

Spécifications techniques

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Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs haute fiabilité pour les applications critiques. Notre vaste gamme comprend des solutions de mémoire haut de gamme, des microcontrôleurs, des FPGA et des composants de systèmes embarqués provenant de fabricants de confiance du monde entier.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2,2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY