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IS61WV2568EDBLL-10TLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La mémoire IS61WV2568EDBLL-10TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Grâce à son temps d'accès rapide de 10 ns et à sa large plage de températures de fonctionnement, cette solution mémoire offre des performances constantes dans les systèmes critiques.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : cycle d'écriture et temps d'accès de 10 ns pour des opérations de données à haute vitesse
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 256 Ko x 8 optimisée pour l’accès aux données à l’échelle de l’octet
  • Large plage de tension : tension d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V pour une compatibilité avec diverses conceptions de systèmes.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Boîtier compact : boîtier de montage en surface 44-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm)
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
  • Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile et les infrastructures de télécommunications nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une longue durée de vie.

Spécifications techniques complètes

Documentation : Fiche technique complète et ressources techniques disponibles pour faciliter l'intégration au design.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY