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15+ Dhs. 12.34 Dhs. 185.10
25+ Dhs. 12.07 Dhs. 301.75
50+ Dhs. 11.40 Dhs. 570.00
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IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La mémoire IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone haut de gamme de 2 Mbit conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et des performances exceptionnelles. Cette solution mémoire haute vitesse offre un temps d'accès de 10 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 8, ce qui la rend idéale pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Large plage de tension : le fonctionnement de 2,4 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses conceptions de systèmes.
  • Plage de températures étendue : plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les systèmes anciens et modernes
  • Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est conçue pour les applications exigeantes, notamment :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Électronique automobile et systèmes ADAS
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • équipement de diagnostic médical
  • Infrastructure de télécommunications
  • Systèmes d'acquisition et de traitement des données

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI s'est imposée comme un fournisseur de confiance de solutions de mémoire hautes performances pour les applications critiques. La mémoire IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR illustre parfaitement son engagement envers la qualité, la fiabilité et l'excellence technique, garantissant des performances constantes même dans les conditions d'utilisation les plus exigeantes.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY