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IS61WV3216BLL-12TLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 512 Kbits

La mémoire SRAM asynchrone IS61WV3216BLL-12TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire de 512 kbits à haute fiabilité, conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Grâce à son organisation mémoire 32K x 16 et son temps d'accès ultrarapide de 12 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon de données en temps réel, la mémoire cache et les systèmes de traitement à haute vitesse.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et tolérance de température de -40 °C à 85 °C
  • Authentiques et traçables : composants 100 % authentiques, avec un engagement sur l’ensemble du cycle de vie et une stabilité d’approvisionnement.
  • Fiabilité de niveau industriel : Boîtier CMS 44-TSOP II pour une intégration robuste sur circuit imprimé
  • Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un débit maximal dans les systèmes embarqués

Applications idéales

Idéal pour les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs IoT périphériques, les équipements de réseau, l'instrumentation médicale et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une disponibilité à long terme.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir HQICKEY ?

Distributeur mondial de confiance de composants semi-conducteurs authentiques, HQICKEY garantit des pièces d'origine avec une traçabilité complète, un engagement sur tout le cycle de vie et un support technique. Nous collaborons directement avec les principaux fabricants afin d'assurer la stabilité d'approvisionnement à long terme de vos projets critiques.

Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY