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IS61WV3216BLL-12TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 512 kbits

Le IS61WV3216BLL-12TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 512 Kbits conçu pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les appareils IoT nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 32K x 16 offre une architecture de stockage de données flexible
  • Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 3 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente.
  • Plage de températures industrielles : température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Interface parallèle : Interface mémoire parallèle standard pour une intégration aisée avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Boîtier CMS : 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SRAM est idéal pour :

  • Systèmes embarqués nécessitant une mémoire tampon rapide
  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • Électronique et instrumentation automobile
  • Dispositifs IoT et applications de calcul en périphérie
  • systèmes d'acquisition de données
  • Équipements de réseau et de télécommunications

Spécifications techniques

Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants semi-conducteurs ?

Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité, assortis d'un support technique garanti tout au long de leur cycle de vie. Notre vaste gamme de circuits intégrés mémoire comprend des SRAM, des DRAM, des mémoires Flash et des solutions de mémoire spécialisées provenant des plus grands fabricants mondiaux.

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Besoin d'aide pour choisir les composants ou des questions sur ce produit ? Notre équipe technique est là pour vous aider à trouver la solution mémoire idéale pour votre application.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY