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IS61WV3216DBLL-10TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 512 Kbits

Le circuit intégré IS61WV3216DBLL-10TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 512 kbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à son temps d'accès de 10 ns et à sa large plage de tension de fonctionnement, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide de 10 ns : permet une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Capacité de mémoire de 512 Kbits : organisée en 32 K x 16 pour un stockage de données flexible
  • Large plage de tension : le fonctionnement de 2,4 V à 3,6 V prend en charge diverses conceptions de systèmes.
  • Plage de températures industrielles : de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité en environnement difficile
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Boîtier CMS 44-TSOP II : Conception compacte pour les circuits imprimés de petite taille
  • Fonctionnement asynchrone : aucune horloge n’est requise, ce qui simplifie la synchronisation du système.

Applications

Idéal pour les contrôleurs embarqués, l'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications, les dispositifs de réseau, l'électronique automobile, l'instrumentation médicale et toute application nécessitant un stockage de données temporaire à haute vitesse avec une disponibilité à long terme.

Spécifications techniques

Garantie de qualité et d'authenticité

Nous fournissons des composants ISSI 100 % authentiques, avec une traçabilité complète, un support technique à long terme et une assistance technique dédiée aux équipementiers et intégrateurs de systèmes du monde entier. Toutes nos pièces sont conformes à la directive RoHS et bénéficient de notre programme d'assurance qualité.

Ressources connexes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY