ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128BLL-10KLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.18 | Dhs. 12.18 |
| 15+ | Dhs. 11.79 | Dhs. 176.85 |
| 25+ | Dhs. 11.53 | Dhs. 288.25 |
| 50+ | Dhs. 10.89 | Dhs. 544.50 |
| 100+ | Dhs. 9.61 | Dhs. 961.00 |
| N+ | Dhs. 1.92 | Price Inquiry |
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IS61WV5128BLL-10KLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance
La mémoire IS61WV5128BLL-10KLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 4 Mbit haut de gamme conçue pour les applications critiques exigeant des temps d'accès ultrarapides et une fiabilité exceptionnelle. Cette solution de mémoire parallèle haute densité offre une vitesse d'accès de 10 ns et une large plage de tension d'alimentation (1,65 V à 3,6 V), ce qui la rend idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Haute densité : capacité de 4 Mbit organisée en 512 Ko x 8 pour une gestion efficace de la mémoire
- Large plage de tension : la tension d’alimentation de 1,65 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système.
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Boîtier CMS : 36-BSOJ (largeur de 10,16 mm) pour une conception de circuit imprimé compacte
- Interface parallèle : Intégration simple avec les systèmes anciens et modernes
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SRAM est conçue pour les applications exigeantes, notamment :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Modules ECU et ADAS automobiles
- Automatisation industrielle et automates programmables
- Équipements d'imagerie médicale et de diagnostic
- Stations de base et routeurs de télécommunications
- Mise en mémoire tampon et cache de données à haute vitesse
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 36-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 36-SOJ |
| RoHS |  |
IS61WV5128BLL-10KLI.pdf