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IS61WV5128EDBLL-10KLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS61WV5128EDBLL-10KLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haut de gamme de 4 Mbit conçue pour les applications critiques exigeant des temps d'accès ultrarapides et une fiabilité exceptionnelle. Avec un temps d'accès fulgurant de 10 ns et une organisation mémoire de 512 Ko x 8, ce composant offre les performances et la fiabilité requises par les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances ultra-rapides : un temps d’accès et un temps de cycle d’écriture de 10 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Configuration mémoire optimale : une capacité de 4 Mbits avec une organisation de 512 Ko x 8 offre une gestion des données flexible.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V prend en charge diverses exigences système.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Conception pour montage en surface : le boîtier 36-SOJ (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) permet une intégration efficace sur circuit imprimé.
  • Interface parallèle : Intégration simple aux architectures système existantes

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est conçue pour les environnements exigeants où la performance et l'intégrité des données sont primordiales. Elle est idéale pour les systèmes de vol aérospatiaux, les modules de sécurité automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de diagnostic médical et les infrastructures de télécommunications. Son architecture asynchrone élimine la complexité de la synchronisation d'horloge tout en conservant une vitesse exceptionnelle.

Spécifications techniques

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Distributeur agréé de composants ISSI, HQICKEY garantit des semi-conducteurs 100 % authentiques, une traçabilité complète et un support fabricant. Notre réseau logistique mondial assure une livraison rapide pour un approvisionnement juste-à-temps, appuyée par une expertise technique et des ressources applicatives complètes.

Ressources connexes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 36-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 36-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY