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IS61WV5128FBLL-10BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS61WV5128FBLL-10BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Configuration mémoire optimale : l’organisation 512 Ko x 8 offre une intégration d’interface parallèle flexible
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Boîtier compact : format 36-TFBGA (6x8) pour montage en surface.
  • Qualité industrielle : conforme à la directive RoHS et offrant une fiabilité éprouvée pour les systèmes critiques.

Applications idéales

Idéale pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire rapide et fiable, notamment les automates industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et l'instrumentation aérospatiale. Son architecture asynchrone simplifie l'intégration, tandis que sa plage de températures de fonctionnement étendue garantit des performances constantes même dans des conditions difficiles.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire semi-conductrice haute fiabilité. Forte de plusieurs décennies d'expertise en technologie SRAM, ISSI fournit des composants conçus pour une durabilité, des performances et une disponibilité à long terme optimales – des facteurs essentiels pour les applications industrielles et embarquées.

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Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire, incluant SRAM, DRAM, Flash et solutions de mémoire spécialisées pour votre prochain projet. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et de l'industrie. Restez informé des dernières tendances et nouveautés produits grâce à notre blog d'actualités .

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 36-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 36-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY