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IS61WV5128FBLL-10TLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

Le circuit intégré IS61WV5128FBLL-10TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 4 mégabits haut de gamme, conçue pour les applications électroniques embarquées et industrielles exigeantes. Cette solution de mémoire volatile haute vitesse offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 nanosecondes, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un accès rapide aux données et un stockage temporaire fiable.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : un temps d'accès de 10 ns et un temps de cycle d'écriture de 10 ns garantissent une latence minimale pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation de la mémoire flexible : la configuration 512 Ko x 8 offre une architecture de stockage de données polyvalente
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V prend en charge diverses conceptions de systèmes et les exigences de faible consommation.
  • Plage de températures industrielles : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit la fiabilité dans des environnements difficiles.
  • Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
  • Boîtier CMS : boîtier TSOP II 44 (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, aux équipements de contrôle industriel, aux dispositifs de réseau, aux infrastructures de télécommunications, à l'électronique automobile, à l'instrumentation médicale et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une longue durée de vie.

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Spécifications techniques complètes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement En vrac |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY