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15+ Dhs. 7.44 Dhs. 111.60
25+ Dhs. 7.28 Dhs. 182.00
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IS61WV5128FBLL-10TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La puce IS61WV5128FBLL-10TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce circuit intégré mémoire offre une vitesse exceptionnelle avec un temps d'accès de 10 ns et fonctionne de manière fiable sur toute la plage de températures industrielles, de -40 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 512 Ko x 8 offre un accès optimal aux données à l’échelle de l’octet
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V prend en charge diverses conceptions de systèmes.
  • Fiabilité de qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Interface parallèle : L’interface parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
  • Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Cette mémoire SRAM asynchrone est idéale pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment les contrôleurs industriels, les équipements réseau, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les systèmes d'acquisition de données. Son interface parallèle et sa large plage de tension d'alimentation la rendent compatible avec une vaste gamme de microcontrôleurs et de FPGA.

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI est un fabricant reconnu de solutions de mémoire semi-conductrices de haute qualité, fort de plusieurs décennies d'expérience. Le circuit intégré IS61WV5128FBLL-10TLI-TR offre une disponibilité à long terme, garantissant ainsi la satisfaction de vos besoins de production pour les années à venir. Notre équipe d'assistance technique est à votre disposition pour vous accompagner dans l'intégration et l'optimisation de votre système.

Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY