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IS61WV6416BLL-12BLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS61WV6416BLL-12BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute vitesse de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les objets connectés (IoT) nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation de 64 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques.
  • Organisation de la mémoire flexible : interface parallèle 64 Ko x 16 pour une gestion efficace des données
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et plage de température de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité industrielle
  • Boîtier compact : Boîtier CMS 48-TFBGA (6 x 8 mm) idéal pour les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Idéal pour l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux, les systèmes de télécommunications et toute application nécessitant un stockage temporaire de données à haute vitesse avec une disponibilité à long terme garantie.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir HQICKEY ?

Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans les composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité, avec un support technique garanti tout au long de leur cycle de vie. Notre vaste gamme de mémoires comprend des solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM provenant des plus grands fabricants. Restez informé des dernières tendances et nouveautés produits sur notre blog d'actualités .

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY