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IS61WV6416BLL-12KLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La puce IS61WV6416BLL-12KLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) haut de gamme de 1 mégabit, conçue pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile rapide et fiable avec interface parallèle. Cette SRAM asynchrone haute performance offre un temps d'accès exceptionnel de 12 nanosecondes, ce qui la rend idéale pour les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les périphériques réseau et les applications critiques nécessitant un accès rapide aux données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 1 Mbit : organisée en mots de 64 Ko x 16 bits pour un stockage et une récupération flexibles des données.
  • Temps d'accès ultra-rapide de 12 ns : garantit une latence minimale pour les opérations critiques et le traitement en temps réel.
  • Interface parallèle asynchrone : simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs, les FPGA et les systèmes existants.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 3 V à 3,6 V prend en charge les conceptions modernes à faible consommation.
  • Plage de températures industrielles : Conçu pour fonctionner de -40 °C à +85 °C dans des environnements difficiles
  • Boîtier CMS 44-SOJ : Conception compacte de 0,400 pouce (10,16 mm) de largeur pour des circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb

Applications

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté à l'automatisation industrielle, à l'informatique embarquée, à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache, aux routeurs et commutateurs de réseau, à l'instrumentation médicale, à l'électronique automobile et à toute application nécessitant un stockage de données temporaire à haute vitesse avec une disponibilité garantie sur une longue durée de vie.

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Spécifications techniques complètes

Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY