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IS61WV6416BLL-12KLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

Le circuit intégré IS61WV6416BLL-12KLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit haut de gamme, conçue pour les applications à haute fiabilité dans les secteurs industriel, automobile, de l'IoT et des systèmes embarqués. Ce composant semi-conducteur authentique offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultra-rapide de 12 ns et un fonctionnement robuste sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide : une vitesse d'accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre une intégration flexible de l’interface parallèle
  • Large plage de tension de fonctionnement : plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité système polyvalente
  • Plage de température étendue : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale dans les environnements industriels difficiles.
  • Technologie de montage en surface : boîtier 44-BSOJ (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé
  • Fonctionnement asynchrone : des exigences de synchronisation simplifiées réduisent la complexité du système
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute performance est parfaitement adaptée aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de réseau, aux dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications, aux systèmes d'acquisition de données et aux applications embarquées critiques nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.

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Spécifications techniques

Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY