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15+ Dhs. 5.92 Dhs. 88.80
25+ Dhs. 5.80 Dhs. 145.00
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IS61WV6416BLL-12TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La puce IS61WV6416BLL-12TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 12 ns et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation mémoire flexible : configuration 64 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
  • Large plage de tension de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les systèmes basse consommation modernes.
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité optimale en environnement difficile
  • Conception à montage en surface : boîtier TSOP II 44 (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour un assemblage automatisé et une optimisation de l’espace.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette carte SRAM haute performance est idéale pour :

  • Systèmes embarqués nécessitant une mise en mémoire tampon de données rapide et fiable
  • équipements de contrôle et d'automatisation industriels
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Infrastructure de réseau et de télécommunications
  • Dispositifs et instruments médicaux
  • Systèmes d'informatique de périphérie et d'acquisition de données IoT

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY