ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416DBLL-10BLI

IS61WV6416DBLL-10BLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire IS61WV6416DBLL-10BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique asynchrone haut de gamme de 1 mégabit, conçue pour les systèmes embarqués à haute fiabilité et les applications critiques. Ce circuit intégré de mémoire de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns , ce qui le rend idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Organisation flexible : architecture mémoire 64 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
• Large plage de tension : fonctionnement de 2,4 V à 3,6 V, compatible avec diverses configurations d’alimentation.
• Plage de températures industrielles : plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
• Format compact : Boîtier CMS 48-TFBGA (6 x 8 mm) peu encombrant
• Interface parallèle : Interface mémoire parallèle simple et éprouvée pour une intégration directe
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant une mise en mémoire tampon rapide et non volatile des données, notamment les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, l'instrumentation médicale, l'avionique aérospatiale, les routeurs de réseau, l'infrastructure de télécommunications et les systèmes d'acquisition de données.

Spécifications techniques

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