ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416DBLL-10BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.87 | Dhs. 7.87 |
| 15+ | Dhs. 7.62 | Dhs. 114.30 |
| 25+ | Dhs. 7.45 | Dhs. 186.25 |
| 50+ | Dhs. 7.04 | Dhs. 352.00 |
| 100+ | Dhs. 6.21 | Dhs. 621.00 |
| N+ | Dhs. 1.24 | Price Inquiry |
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IS61WV6416DBLL-10BLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La puce IS61WV6416DBLL-10BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à son organisation 64K x 16 et son temps d'accès ultrarapide de 10 ns, ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, les applications de cache et le traitement en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Alimentation flexible : sa large plage de tension (2,4 V à 3,6 V) prend en charge diverses architectures système.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Montage en surface compact : le boîtier 48-TFBGA (6x8) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Qualité authentique : Composants ISSI authentiques, disponibles tout au long de leur cycle de vie et bénéficiant d'un support technique.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SRAM haute vitesse est idéale pour :
- Mémoire tampon et cache des données des systèmes embarqués
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Infrastructure de réseau et de télécommunications
- Dispositifs et instruments médicaux
- Électronique automobile (plage de températures étendue)
- Systèmes d'acquisition de données en temps réel
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 2,4 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
IS61WV6416DBLL-10BLI-TR.pdf