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IS61WV6416DBLL-10TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

Le IS61WV6416DBLL-10TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit de qualité supérieure conçu pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT nécessitant des solutions de mémoire volatile rapides et fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d'accès ultra-rapide de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre un équilibre optimal pour les conceptions d’interfaces parallèles.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la tension d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V prend en charge diverses exigences système.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Conception pour montage en surface : le boîtier 44-TSOP II permet une conception efficace du circuit imprimé et un assemblage automatisé
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les microprocesseurs et les contrôleurs

Spécifications techniques

Applications

Cette carte SRAM haute performance est idéale pour :

  • Systèmes embarqués nécessitant une mémoire tampon rapide
  • équipements de contrôle et d'automatisation industriels
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Dispositifs IoT et applications de calcul en périphérie
  • Systèmes d'acquisition de données et de traitement du signal
  • Équipements de réseau et de télécommunications

Garantie de qualité et d'authenticité

Chez HQICKEY, nous garantissons un approvisionnement authentique, un support complet tout au long du cycle de vie et une traçabilité optimale. Chaque composant IS61WV6416DBLL-10TLI-TR est livré avec la documentation du fabricant et les certifications de qualité pour votre tranquillité d'esprit.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY