ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-10BLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.62 | Dhs. 5.62 |
| 15+ | Dhs. 5.45 | Dhs. 81.75 |
| 25+ | Dhs. 5.33 | Dhs. 133.25 |
| 50+ | Dhs. 5.03 | Dhs. 251.50 |
| 100+ | Dhs. 4.44 | Dhs. 444.00 |
| N+ | Dhs. 0.89 | Price Inquiry |
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IS61WV6416EEBLL-10BLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La puce IS61WV6416EEBLL-10BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) haut de gamme de 1 mégabit, conçue pour les applications embarquées, industrielles et IoT exigeantes. Cette SRAM asynchrone haute vitesse offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 nanosecondes, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit des opérations de lecture/écriture de données rapides pour les applications critiques en termes de temps.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre un équilibre optimal entre densité et simplicité de l’interface.
- Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système et les conceptions à faible consommation.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
- Boîtier CMS : l'encombrement de 48-TFBGA (6 x 8 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Ce composant de mémoire SRAM excelle dans les applications nécessitant une mise en mémoire tampon à haute vitesse, une mémoire cache ou un stockage temporaire de données, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de réseau, les systèmes de télécommunications et les dispositifs IoT périphériques alimentés par batterie.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 2,4 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |

IS61WV6416EEBLL-10BLI.pdf