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IS61WV6416EEBLL-10BLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La puce IS61WV6416EEBLL-10BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) haut de gamme de 1 mégabit, conçue pour les applications embarquées, industrielles et IoT exigeantes. Cette SRAM asynchrone haute vitesse offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 nanosecondes, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit des opérations de lecture/écriture de données rapides pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre un équilibre optimal entre densité et simplicité de l’interface.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système et les conceptions à faible consommation.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
  • Boîtier CMS : l'encombrement de 48-TFBGA (6 x 8 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Ce composant de mémoire SRAM excelle dans les applications nécessitant une mise en mémoire tampon à haute vitesse, une mémoire cache ou un stockage temporaire de données, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de réseau, les systèmes de télécommunications et les dispositifs IoT périphériques alimentés par batterie.

Spécifications techniques

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Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité, assortis d'un support technique garanti tout au long de leur cycle de vie. Notre stock important assure une livraison rapide, et notre équipe technique est à votre disposition pour vous accompagner dans le choix des produits et leur intégration.

Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire, incluant les composants SRAM, DRAM, Flash et EEPROM des plus grands fabricants. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs ou visitez notre blog technique pour les dernières analyses du secteur, les notes d'application et les annonces de produits.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY